臺積電后來居上或搶先英特爾推3

2019-06-07 14:03:15 来源: 河西信息港

  据台湾对外贸易发展协会(TAITRA)透露,芯片代工巨头台积电(TSMC)有望超过intel,在2011年底推出业内采用3-D芯片堆叠技术的半导体芯片产品。

  TAITRA的报告援引了一则匿名消息: Intel曾于今年5月表示,他们将于今年年底前开始量产结合了三门晶体管技术(台积电计划14nm节点启用类似的Finfet技术)的芯片产品。而台积电这次推出采用3-D芯片堆叠技术半导体芯片产品的时间点则与其非常靠近。

  雖然臺積電在與intel的3-D芯片競速比賽中獲勝了,但需要說明的是,臺積電采用的技術與Intel的三門晶體管技術存在很大的區別。臺積電開發的3-D芯片堆疊技術與其它半導體廠商一樣,以穿硅互聯技術(TSV)為核心 ,通過在互聯層中采用TSV技術來將各塊芯片連接在一起,以達到縮小芯片總占地面積,減小芯片間信號傳輸距離的目的。而英特爾采用的三門晶體管技術則是從芯片的核心部分晶體管內部結構上進行改革,業界稱為FinFET,因為硅通道類似于一個從半導體基片上凸起來的鰭。

  根据外贸协会的报告,3-D技术等效增大了单芯片中的晶体管密度高达1000倍,而能耗则可降低50%左右。新技术有望解决传统的 平面 的晶体管遇到的只能二维移动电子的困难。

  在增加芯片单位面积内的晶体管密度方面,3-D芯片堆叠技术和三门晶体管技术均能起到正面的影响作用。

  TAITRA还引用了台积电研发部门高级副总裁蒋尚义的话称,台积电一直都在与商,以及芯片自动化设计软件开发商就改善3-D芯片堆叠技术的实用性方面进行紧密合作。

  --来源:EET

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